技術(shù) | LED芯片的三種封裝結(jié)構(gòu)
信息來源:http://372100.com.cn/ 作者:湖北弘馳LED顯示屏公司
LED芯片的三種封裝結(jié)構(gòu)分別為正裝、垂直和倒裝,具體介紹如下:01 最早出現(xiàn)的芯片結(jié)構(gòu),電極、P型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、N型半導(dǎo)體層和襯底依次排列。該結(jié)構(gòu)中PN結(jié)處產(chǎn)生的熱量需要經(jīng)過藍寶石襯底才能傳導(dǎo)到熱沉,藍寶石襯底較差的導(dǎo)熱性能導(dǎo)致該結(jié)構(gòu)導(dǎo)熱性能較差,從而降低了芯片的發(fā)光效率和可靠性。該結(jié)構(gòu)簡單、制作工藝相對成熟,但存在電流擁擠、散熱差和電極金屬遷移等問題。
該結(jié)構(gòu)簡單、制作工藝相對成熟;(1)正裝結(jié)構(gòu)LED的p、n電極在LED的同一側(cè),電流需橫向流過n-GaN層,導(dǎo)致電流發(fā)生擁擠,局部產(chǎn)生大量熱,限制了驅(qū)動電流;(2)藍寶石襯底的導(dǎo)熱性差,嚴重阻礙了熱量的散失;(3)溫度和濕度等因素可能導(dǎo)致電極金屬遷移,隨著芯片尺寸縮小,正負電極間距減小,可能會有短路的問題出現(xiàn)。正裝芯片有多種分類方式,可以按照發(fā)光顏色、芯片功率、應(yīng)用范圍等進行分類。為更好的闡述正裝LED芯片的結(jié)構(gòu)。本文根據(jù)芯片功率將芯片分為小功率芯片、中功率芯片、大功率芯片三類。小功率芯片的結(jié)構(gòu)相對簡單,制作工藝也相對簡單,通常采用三次光刻制程,分別是MESA光刻、ITO光刻、PAD光刻,詳細流程如下:中功率芯片通常會采用5次光刻制程,在小功率的3次光刻工藝的基礎(chǔ)上增加了電流阻擋層(CBL)光刻、鈍化(PV)光刻,具體工藝流程如下:也可以采用先ITO后MESA的工藝流程,這有利于芯片良率的提升,詳細流程如下:中功率芯片在研磨后通常會背鍍上高發(fā)射率的DBR。DBR可以顯著提高芯片點測亮度,對封裝后的亮度也有一定的提升。大功率芯片通常也是采用中功率的5次光刻制程,但是背鍍層會由原來的DBR改為ODR(全方位反射層)。05 正裝LED芯片應(yīng)用現(xiàn)狀藍寶石襯底的正裝結(jié)構(gòu)LED以工藝簡單、成本相對較低,一直是GaN基LED的主流結(jié)構(gòu)。目前,多數(shù)企業(yè)為節(jié)約生產(chǎn)與研發(fā)成本,仍采用這種結(jié)構(gòu)。
01 采用高熱導(dǎo)率的襯底取代藍寶石襯底,提高了散熱效率。兩個電極分別在LED外延層的兩側(cè),電流幾乎全部垂直流過LED外延層,避免了局部高溫。該結(jié)構(gòu)具有良好的散熱性能和可靠性,但制備工藝相對復(fù)雜。
(1)目前,現(xiàn)有的所有顏色的垂直結(jié)構(gòu)LED:紅光LED、綠光LED、藍光LED及紫外光LED,都可以制成通孔垂直結(jié)構(gòu);(2)所有的制造工藝都是在芯片(wafer)水平進行;(3)由于無需打金線與外界電源相聯(lián)結(jié),采用通孔垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片的封裝厚度降低;(5)可以采用較大直徑的通孔/金屬填充塞和多個的通孔/金屬填充塞進一步提高襯底的散熱效率。制備GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED的工藝主要分成以下幾個步驟:表面處理、臺面蝕刻、鈍化層沉積等步驟,具體流程如下所示:04 垂直LED的應(yīng)用現(xiàn)狀垂直結(jié)構(gòu)的藍光芯片是正裝的基礎(chǔ)上產(chǎn)生的,這種芯片是將傳統(tǒng)藍寶石襯底的芯片倒過來鍵合在導(dǎo)熱能力較好的硅襯底或金屬等襯底上,在將藍寶石襯底激光剝離。這種結(jié)構(gòu)的芯片解決了散熱的問題,但由于工藝復(fù)雜,生產(chǎn)合格率較低,目前發(fā)展不溫不火。
三、倒裝結(jié)構(gòu)
01 將正裝芯片翻轉(zhuǎn)過來,使電極朝下。這種結(jié)構(gòu)沒有通過藍寶石散熱,熱量直接傳導(dǎo)到熱沉,散熱效果好。同時,倒裝結(jié)構(gòu)避免了對出射光的遮擋,提高了出光效率。此外,倒裝結(jié)構(gòu)還具有尺寸小、密度高、光學(xué)匹配容易、抗靜電能力強等優(yōu)點。
(1)沒有通過藍寶石散熱,從芯片PN極上的熱量通過金絲球焊點傳到Si熱沉,Si是散熱的良導(dǎo)體,其散熱效果遠好于藍寶石的散熱,可以通過大電流使用;(2)尺寸可以做到更小,密度更高,同時光學(xué)更容易匹配;(5)為后續(xù)的封裝工藝打下基礎(chǔ);(6)電極之間距離較遠,可以減小電極金屬遷移導(dǎo)致的短路風(fēng)險。目前,由于地制造設(shè)備和成本要求較高,做此類芯片的廠商還相對較少。因此,在市場應(yīng)用雖還不是很廣泛,但具有非常廣闊的前景。